Џон Бардин
Џон Бардин (енгл. John Bardeen; Висконсин, 23. мај 1908 — Бостон, 31. јануар 1991) био је амерички физичар. Рођен у Медисону (САД).[5] Докторирао је математичку физику на Универзитету Принстон. Нобелову награду из физике добио је два пута. 1956. за откриће транзистора и 1972. за развој теорије суперпроводљивости.[6][7]
| Џон Бардин | |
|---|---|
 | |
| Лични подаци | |
| Датум рођења | 23. мај 1908. |
| Место рођења | Висконсин, САД |
| Датум смрти | 31. јануар 1991. (82 год.) |
| Место смрти | Бостон, САД |
| Образовање | Универзитет Принстон, Универзитет Висконсина у Медисону |
| Научни рад | |
| Ученици | |
| Награде |
|
Животопис
уредиЏон Бардин је дипломирао и магистрирао електротехнику на Универзитету у Висконсину (Медисон), а докторат из поља математичке физике је примио на Универзитету Принстон.[8] Џон је радио у више установа, а након рата 1945. придружује се Беловим телефонским лабораторијама у Мари Хилу, Њу Џерзи[7], где заједно с Братајном и Шоцлијем спроводи истраживања својстава проводљивости електрона у суперпроводницима и саме суперпроводности. Неколико дана пре Божића, 23. децембра 1947. открили су транзистор који је покренуо праву технолошку револуцију.
Раних 50-их година прошлог века, Бардеен наставља истраживања о суперпроводљивости која је започео још 1930. и за своја теоретска објашњења појаве суперпроводљивости прима своју другу Нобелову награду. Теорија коју је успешно пласирао са својим колегама, данас је позната као БЦС теорија, по иницијалима проналазача Бардина, Купера и Шрифера. Свој је рад наставио и даље - посвећујући се у првом реду суперпроводницима. На Универзитету Илиноис је радио као професор електротехнике од 1951. до 1975. године. Бардин је преминуо 30. јануара 1991. године. По природи је био миран и тих човек.[9]
Транзистор
уредиТранзистор (енгл. transistor, од trans[fer] [res]istor: преносни отпорник) је активни полупроводнички елемент са три електроде. Разликују се биполарни и униполарни транзистори. Променом улазне струје биполарнога транзистора или улазног напона униполарнога транзистора управља се струјом у излазном кругу. У аналогним склоповима транзистори се примењују понајпре за појачање сигнала, а у дигиталним склоповима као управљане склопке. Назив транзистор потиче из 1947, када су амерички истраживачи Џон Бардин, Волтер Хаузер Братејн и Вилијам Брадфорд Шокли конструисали први германијумски биполарни транзистор.
Биполарни транзистор
уредиБиполарни транзистор састоји се од три слоја полупроводника, с контактима емитера (E), базе (B) и колектора (C). Постоје npn-транзистори и pnp-транзистори (полупроводници). Код npn-транзистора база p-типа полупроводника направљена је између емитера и колектора који су n-типа, док су код pnp-транзистора слојеви емитера, базе и колектора супротнога типа. У раду биполарног транзистора учествују оба типа носилаца. У нормалном активном подручју рада транзистора емитер инјектира носиоце у базу. Мањи део носилаца губи се (рекомбинује) у уској бази, чинећи малу струју базе, а већи део пролази кроз базу у колектор, узрокујући струју колектора. Код npn-транзистора основну струју чине електрони, а код pnp-транзистора шупљине. Струје емитера, базе и колектора међусобно су пропорционалне. У најчешће кориштеном споју заједничког емитера мала промена улазне струје базе узрокује велику промену излазне струје колектора, чиме се остварује појачавајуће деловање транзистора у појачању сигнала. Биполарни транзистор употребљава се и као склопка. Зависно од улазне струје базе, транзистор се пребацује из подручја запирања у подручје засићења и обратно; у подручју запирања ради као искључена склопка уз занемариве струје, а у подручју засићења као укључена склопка уз мали пад напона између колектора и емитера.
Униполарни транзистор
уредиУниполарни транзистор означава се скраћеницом FET (енгл. Field Effect Transistor: транзистор управљан пољем). FET има три основне електроде: увод (S), управљачку електроду (G) и одвод (D). Напоном прикљученим између увода и управљачке електроде модулише се полупроводнички отпор (назван канал) између увода и одвода, чиме се управља струјом одвода. Зависно од типа полупроводника у каналу разликују се n-канални и p-канални FET-ови. Рад FET-ова одређује ток само једнога типа носилаца – електрона код n-каналних и FET-ова шупљина код p-каналних. Управљачка електрода електрично је изолована од канала те се FET-ови одликују великим улазним отпором. Зависно од конструкције користи се више типова FET-ова. Код JFET-а (енгл. Junction FET: спојни FET) канал и управљачка електрода чине запорно поларизовани pn-спој, а код MESFET-а (енгл. Metal-Semiconductor FET: метални полупроводнички FET) запорно поларизовани pn-спој замењен је запорно поларизованим спојем метал-полупроводник. Код MOSFET-а (енгл. Metal-Oxide-Semiconductor FET: металнооксидни полупроводнички FET) метална или полисилицијумска управљачка електрода изолована је од канала танким слојем силицијум диоксида (SiO2). MOSFET има четврту електроду, подлогу (B), која се најчешће спаја с уводом. Посебна врста FET-ова је HEMT (енгл. High Electron Mobility Transistor: транзистор с високом покретљивости електрона). Попут биполарног транзистора, FET-ови се користе као појачавајући елементи или као напоном управљане склопке.
Биполарни транзистори струјно су управљани елементи, а FET-ови напонски управљиви. Биполарни транзистори имају већу стрмину, те су појачања појачала реализована с биполарним транзисторима већа од појачања појачала с FET-овима. Уз то су биполарни транзистори бржи и уз исте димензије дају јачу струју од FET-ова. Биполарни се транзистори могу управљати светлосним снопом, што се примењује у изведби фототранзистора (фотомултипликатор), елемената за претварање светлоснога сигнала у оптички. Главна је предност FET-ова велик улазни отпор. Температурни је коефицијент излазне струје FET-ова негативан, а биполарних транзистора позитиван, те су FET-ови погоднији транзистори за конструкцију појачала снаге.
Основни полуводички материјал за реализацију биполарних транзистора, JFET-ова и MOSFET-ова, и даље је силицијум. У неким се изведбама биполарних транзистора и MOSFET-ова силицијум се комбинује с германијумом (силицијумско-германијумски транзистори, SiGe), понајприје ради повећања брзине рада. Већом брзином рада одликују се транзистори који се као полуводичким материјалом користе галијум арсенидом (GaAs). Од галијум арсенида израђују се MESFET-ови, а од комбинације галијум арсенида и алуминијум-галијум арсенида (AlGaAs) производе се хетероспојни биполарни транзистори (HBT-ови – од енгл. Heterojunction Bipolar Transistor) и HEMT-ови. Назив HBT употребљава се и за силицијско-германијске биполарне транзисторе.
Захваљујући добрим својствима попут велике брзине рада, мале потрошње, велике поузданости и мале цене, транзистори су основни елементи електронских склопова различитих функција попут појачала, стабилизатора, модулатора, генератора сигнала, дигиталних логичких склопова, полуводичких меморија и слично. Као дискретне компоненте у засебним кућиштима, транзистори се производе за различите намене. Уз транзисторе опште намене, с уједначеним карактеристикама, израђују се транзистори с оптимираним карактеристикама за поједине примене, на пример високофреквенцијски транзистори, транзисторске склопке, високонапонски транзистори и транзистори снаге.
У већој мери транзистори се користе као део интегрисаних склопова у којима се у истој, најчешће силицијумској, плочици интегрише велик број транзистора и осталих елемената (диода, отпорника, кондензатора). Аналогни интегрисани склопови попут операцијских појачала и стабилизатора темеље се претежно на примени биполарних транзистора. Улазни транзистори интегрисаних операцијских појачала често су JFET-ови, који осигуравају велики улазни отпор појачала. Већина дигиталних интегрисаних склопова изводи се у комплементарној MOS-техници (CMOS), у којој се употребљавају комплементарни парови n-каналних и p-каналних MOSFET-ова. Захваљујући једноставности и малим димензијама MOSFET-ова те малој потрошњи, у комплементарној MOS-техници реализирају се интегрисани склопови велике сложености попут микропроцесора и меморијских склопова с више од 109 транзистора. Често се у комплементарној MOS-техници у истом интегрисаном склопу уз дигиталне функције изводе и аналогне. Оптимална својства сложених интегрисаних склопова постижу се комбинацијом MOSFET-а и биполарних транзистора у BiCMOS-техници (назив BiCMOS упућује на истодобно кориштење биполарних комплементарних MOS-транзистора на истој силицијумској плочици). Најбржи су интегрисани склопови од галијум арсенида темељени на примени MESFET-ова и HEMT-ова. Такви се склопови најчешће користе у високофреквенцијским комуникацијским уређајима, на пример у мобилној телефонији.[10]
Суперпроводљивост
уреди
Суперпроводљивост је стање појединих материја које се на ниским температурама очитује у нестанку њихова електричнога отпора, проласку електричне струје кроз танку изолаторску баријеру унутар њих без електричног отпора (Џозефсонов учинак - Брајан Дејвид Џозефсон) и лебдењу магнета изнад њихове површине (Мајснеров учинак - Валтер Мајснер).[11] Суперпроводљивост је квантномеханичка појава и не може се објаснити класичном физиком. Типично настаје у неким материјалима на јако ниским температурама (нижим од -200 °C).
БЦС теорија
уредиБЦС теорија или Бардин-Купер-Шриферова теорија је прва микроскопска теорија суперпроводљивости (1957).[12][13][14] Полази од претпоставке да на врло ниским температурама у кристалној решетки суперпроводника привлачно међуделовање електрон–решетка–електрон надјачава одбојну електричну силу међу електронима, тј. да електрони при проласку кроз решетку привлаче њене јоне, што резултира повећањем густине позитивног набоја у том подручју и, док се решетка не врати у равнотежно стање, привлачи друге електроне. У таквим условима електрони којима су спинови и количине кретања супротни крећу се у паровима (Куперови парови), а сваки пар електрона на међусобној удаљености од приближно 100 nm креће се кроз кристалну решетку без губитка енергије и може тунелисати кроз изолаторску баријеру. Порастом температуре атоми решетке све јаче осцилују, изнад критичне температуре раздвајају електронске парове, електрони се више не могу кретати без губитака и појављује се електрични отпор. За развој БЦС-теорије Џон Бардин, Леон Купери Џон Роберт Шрифер добили су Нобелову награду за физику 1972.[15]
Референце
уреди- ^ а б Џон Бардин на сајту MGP (језик: енглески)
- ^ „Nice Guys Can Finish As Geniuses at University of Illinois in Urbana-Champaign.”. Chicago Tribune: Knight Ridder News Service. 25. 1. 2003. Архивирано из оригинала 08. 12. 2015. г. Приступљено 3. 8. 2007.
- ^ Bardeen Biography from the Nobel Foundation
- ^ Pippard, B. (1994). „John Bardeen. 23 May 1908–30 January 1991”. Biographical Memoirs of Fellows of the Royal Society. 39: 20—34. S2CID 121943831. doi:10.1098/rsbm.1994.0002.
- ^ „The Nobel Prize in Physics 1956”. NobelPrize.org (на језику: енглески). Приступљено 2021-01-29.
- ^ „John Bardeen | American physicist”. Encyclopedia Britannica (на језику: енглески). Приступљено 2021-01-29.
- ^ а б Мишић, Милан, ур. (2005). Енциклопедија Британика. А-Б. Београд: Народна књига : Политика. стр. 107. ISBN 86-331-2075-5.
- ^ „John Bardeen, Nobelist, Inventor of Transistor, Dies”. Washington Post. 31. 1. 1991. Архивирано из оригинала 2. 11. 2012. г. Приступљено 3. 8. 2007.
- ^ John Bardeen, CroEOS.net Архивирано на сајту Wayback Machine (23. мај 2004) www.croeos.net
- ^ Tranzistor, [1] "Hrvatska enciklopedija", Leksikografski zavod Miroslav Krleža, www.enciklopedija.hr, 2014.
- ^ Superprovodljivost, [2] "Hrvatska enciklopedija", Leksikografski zavod Miroslav Krleža, www.enciklopedija.hr, 2014.
- ^ Cooper, Leon N. (1956). „Bound Electron Pairs in a Degenerate Fermi Gas”. Physical Review. 104 (4): 1189—1190. Bibcode:1956PhRv..104.1189C. doi:10.1103/PhysRev.104.1189
.
- ^ Bardeen, J.; Cooper, L. N.; Schrieffer, J. R. (1957). „Microscopic Theory of Superconductivity”. Physical Review. 106 (1): 162—164. Bibcode:1957PhRv..106..162B. doi:10.1103/PhysRev.106.162 .
- ^ Bardeen, J.; Cooper, L. N.; Schrieffer, J. R. (1957). „Theory of Superconductivity”. Physical Review. 108 (5): 1175—1204. Bibcode:1957PhRv..108.1175B. doi:10.1103/PhysRev.108.1175 .
- ^ BCS-teorija, [3] "Hrvatska enciklopedija", Leksikografski zavod Miroslav Krleža, www.enciklopedija.hr, 2014.
Спољашње везе
уреди
- The Bardeen Archives at the University of Illinois at Urbana-Champaign
- Џон Бардин на сајту Nobelprize.org including his 2 Nobel lectures
- December 11, 1956 Semiconductor Research Leading to the Point Contact Transistor
- December 11, 1972 Electron-Phonon Interactions and Superconductivity
- Associated Press Obituary of John Bardeen as printed in The Boston Globe
- Oral History interview transcript with John Bardeen 12, 16 May, 1, 22 December 1977 & 4 April 1978, American Institute of Physics, Niels Bohr Library and Archives Архивирано на сајту Wayback Machine (12. јануар 2015)
- Oral History interview transcript with John Bardeen 13 February 1980, American Institute of Physics, Niels Bohr Library and Archives Архивирано на сајту Wayback Machine (9. октобар 2013)
- Interview with Bardeen about his experience at Princeton
- The American Presidency Project
- -{IEEE History Center biography
- IEEE 2nd Int. Conference on Computers, Communications and Control (ICCCC 2008), an event dedicated to the Centenary of John Bardeen (1908–1991)
- U.S. Patent 2.524.035 – "Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials"
